4、由稳压管组成的稳压电路如图所示，已知Vi=18V，稳压管DZ1的稳压值为7V，稳压管DZ2的稳压值为6V，稳压管具有理想特性，则输出Vo为（ ）。 A、 13V B、 1V C、 6V D、 7V
5、电路如图（a）～(b)所示，已知vi=20Sinωt （V），稳压管DZ1稳定电压VZ1=10V，稳压管DZ2稳定电压VZ2=6V，稳压管的正向压降忽略不计。图（e）所示波形为电路图（ ）的输出波形。
6、根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB = -6.3v，VE = -7v，VC = -4v，可以判定此晶体管是 管，处于 。 （ ）
A、 NPN管，饱和区 B、 PNP管， 放大区 C、 PNP管，截止区 D、 NPN管， 放大区
7、某MOS场效应管的转移特性如图所示，则该MOS管为（ ）。
A、增强型N沟道MOS管 B 、耗尽型N沟道MOS管 C、增强型P沟道MOS管 D 、耗尽型P沟道MOS管 8、某MOS场效应管的转移特性如图所示，则该MOS管为（ ）。
A、增强型N沟道MOS管 B 、耗尽型N沟道MOS管 C、增强型P沟道MOS管 D 、耗尽型P沟道MOS管 9、电路如图所示，该电路的静态电流表达式ICQ=（ ）。
VCC?VBE(A)(1??)Rb?ReVCC?VBE(C)Rb?(1??)ReVCC?VBE(B)??Rb?ReVCC?VBE (D)Rb?(1??)Re
10、电路如图所示，已知晶体管的饱和压降VCES=0.3V，RC=RL=2kΩ，静态工作点ICQ=2mA，VCEQ=6V。该放大电路的最大不失真输出正弦电压的幅值为（ ）。
A、 6V B、 5.7V C、 6.6V D、 2V
11、电路如图（a）所示，其等效电路如图（b）所示。该电路的电压放大倍数表达式为（ ）。
(A)'?RLrbe?(1??)Re'?RL(B)?'?RL'?RLrbe?(1??)Re
(C)rbe?Re(D)?rbe?Re12、电路如图所示，已知晶体管的β=50，VBE=0.6V，rbe=1.5kΩ。该电路的输入电阻Ri为（ ）。
A、 1.36kΩ B、15kΩ C、 13.4kΩ D 、 1.5kΩ
13、电路如图所示，C1、C2可视为交流短路，该电路的输出电阻为（ ）。
（A） R2//RL （B） R2 （C） R2//RL//(RS//R1)?rbe 1??(RS//R1)?rbe 1??14、差动放大电路如图所示，已知 |Avd|=100，Avc=0，vi1=10mV，vi2=5mV，则输出（D） R2//电压 |vo| 为（ ）。 A、500mV B、200mV C、250mV D、125mV
15、带有调零电路的差动放大电路如图所示，若输入电压vi1=vi2=0时，输出电压vo=vo1-vo2<0，欲使此时输出电压为0，则应该（ ）。
A、减小Re B、增加Re
C、向左移动RW的滑动端 D、向右移动RW的滑动端
16、电路如图所示，已知电路参数：RS=1kΩ，RC1=RC2=RL=10kΩ，晶体管的β=50，rbe=1.5kΩ。该电路的共模抑制比KCMR=（ ）。
A、2000 B、-2000 C、1000 D、-1000
17、当信号频率等于放大电路的fL和fH时，放大倍数的数值将下降到中频时的（ ）。 A、 0.5倍 B、0.7倍 C、 0.9倍 D、 1.2倍
18、如图所示为一深度负反馈放大电路，所有电容认为对交流短路。该电路的闭