元件组成：R4，R5，R32，R37，R15，R16，R18，U1（18脚）

此部分主要是检测IGBT C极电压，保护IGBT在安全的电压下工作。美的电磁炉采用的IGBT最高耐压达1200V（如西门子IH20T120和仙童FGA25N120），但设计时一般都留有设计余量，此保护电路IGBT高压动作的电压是1100V峰值。即当IGBTC极的电压超过1100V时，IC（18）脚得到的分压电压变高，经过内部检测将3脚输出的PWM宽度拉低，缩小IGBT驱动占空比，缩短IGBT导通时间，从而降低IGBTC极电压，达到保护IGBT的目的。

在一定的条件下，IGBT的C极导通时间越长，电磁炉的功率越大，IGBT的C极就越高。目前我们采用的锅具有304不锈钢和430不锈铁，304不锈钢的磁阻非常大，430的磁阻小很多，所以，要达到相同的功率，304的驱动脉宽将远小于430锅具；使用430锅具时，IGBT的C极承受的高压远大于使用304锅具。所以，经常反映430锅具的功率无法达到额定的功率2000W，而304却轻易达到2500W甚至更高，就是与此电路保护有关。

如图，IGBTC极电压经过R4、R5、R32、R37、R15, R16，分压后再经过R18到U1 18脚。在设计中或生产中，若要提高IGBT保护电压而提高430的功率，可以减小R16。但不管如何，务必谨慎，确保IGBT的C极高压不高于1100V，否则，

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提高了功率却也提高了产品维修率。

PWM脉宽调控电路

元件组成： U1（3脚），C30。

脉宽调控电路是由CPU内部根据不同档位单片机3脚并配合同步信号自动输出PWM脉宽控制IGBT的占空比，从而影响功率的大小,PWM的占空比越大， IGBT驱动脉宽就越宽，则电磁炉的输出功率就越大,反之越小。

“CPU通过控制PWM脉冲的宽与窄，控制送至振荡电路的加热控制电压，控制IGBT导通时间的长短（脉冲宽度），结果控制了加热功率的大小。” 其中C30，C9,C8用于调相 。 IGBT驱动电路

元件组成： U1（3脚），Q1，Q2，Q3，R8，R9，R13，C10，R7

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振荡电路

产生的驱动信号电压较低，基本在4~5V之间，不能驱动IGBT，所以，要将这电压放大到18V以更好地驱动IGBT。

此电路分为两部分：

⑴、由Q1、Q3组成的推挽电路，驱动波形通过由两个三极管Q1、Q3组成的推挽电路，将输出Vout电压提高到18V。

⑵由Q2组成的IGBT使能控制电路。当Q2基极为高电平时，Q2导通，从而拉低Q3 基极，Q3导通则IGBT驱动电路不工作，当Q2基极为低电平时IGBT启动。

浪涌保护电路

元件组成： U1（1脚），D1，D2，R29，R1，R11，C2，C9 ，D4,R40 电磁炉在使用过程中，如果电网电压不稳，高压脉冲（一般高于400V）冲击电磁炉，造成电磁炉IGBT击穿。浪涌保护电路就是为了防止此浪涌高压对电磁炉的损坏而设计的。

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浪涌电路的信号SURGE取样于

电网电压整流后的信号，市电经过D1,D2整流后,经过R29，R1，R11分压后，经过R40得到单片机U1 1脚取样信号。 当电源电压正常时，U1 1脚为低电平（约0.8V），经过U1内部处理后不影响后级IGBT使能控制电路的Q2。当电源突然有浪涌电压输入时，造成U1 1脚 电压升高为高电平（约高于2.5V），经过IC内部检测处理 使3脚输出高电平，这可以使后级IGBT使能控制电路的Q2截止，关断IGBT，从而起到保护IGBT的作用。

电路中，R1、R11各并上电容主要提高抗干扰能力，避免浪涌保护误动作，D4为嵌位作用，防止U1 1脚 电压超过5V，损坏U1。 电流检测电路

元件组成： U1（16，17脚），RK1，R2，VR1，C3,C26,C27.

流过康铜丝两端的电流，变换成电压，此电压经过R2 ，变阻器VR1输入至

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