B. 动态RAM是易失性RAM，而静态RAM中的存储信息是不易失的
C. 半导体RAM是易失性RAM，但只要电源不断电，所存信息是不丢失的 D. 半导体RAM是非易失性的RAM (半导体RAM，无论静态RAM还是动态RAM都是易失性，断电后信息就会丢失)
7. 若数据在存储器中采用以低字节地址为字地址的存放方式，则十六进制数12345678H的存储字节顺序按地址由小到大依次为 B 。 A. 12345678 B. 78563412 C. 87654321 D. 34127856
（此存放方式是小端次序方案，将最低的有效字节存储在最小地址位置）
8. 在对破坏性读出的存储器进行读写操作时，为维持原存信息不变，必须辅以的操作是 B 。
A. 刷新 B. 再生 C. 写保护 D. 主存校验
(对于破坏性读出的存储器，每当一次读出操作之后，必须紧接一个重写（再生）的操作，一遍恢复被破坏的信息，保持原信息不变)
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9. 动态RAM的刷新是以 B 为单位进行的。
A. 存储单元 B. 行 C. 列 D. 存储位
（动态RAM芯片中 的全部记忆单元排列成矩阵，刷新是以行尾单位进行的，一行中 的记忆单元同时被刷新）
10. SRAM芯片，其容量为1024×8，除电源和接地端外，该芯片最少引出线数为 C 。 C. 20 D. 21
11. 存储器容量为32K×16，则 C 。 A. 地址线为16根，数据线为32根 B. 地址线为32根，数据线为16根
C. 地址线为15根，数据线为16根 D. 地址线为16根，数据线为15根
12. 某计算机字长为32位，存储器容量为4MB，若按字编址，其寻址范围是0到 A 。
A. 220－1 B. 221－1 C. 223－1 D. 224－1
（由于字长为32位，一个字=2个字节，按字编址即4MB=4M*8=1M*32，1M*32/32=1M）
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A. 16 B. 17
13. 设机器字长为32位，一个容量为16MB的存储器，CPU按半字寻址，其可寻址的单元数是 B 。
A. 224 B. 223 C. 222 D. 221
（16MB=2^24，由于字长为32位，现在按半字（16位）寻址，即16MB=16M*8=8M*16，8M*16/16=8M，8M=2^23,相当于有8M歌存储单元，每个单元存放16位） 14. 下述说法正确的是 B 。
A. EPROM是可改写的，因而也是随机存储器的一种
B. EPROM是可改写的，但它不能用作为随机存储器用
C. EPROM只能改写一次，故不能作为随机存储器用
D. EPROM是只能改写一次的只读存储器 （是可擦除可改写的，允许改写多次，但他并不是随机存储器，也不能当做随机存储器使用） 15. 通常计算机的主存储器可采用 A 。 A. RAM和ROM B. ROM
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C. RAM D. RAM或ROM
16. 存储器采用部分译码法片选时 C 。 A. 不需要地址译码器 B. 不能充分利用存储器空间
C. 会产生地址重叠 D. CPU的地址线全参与译码
17. 双端口存储器发生读写冲突的情况是 B 。
A. 左端口与右端口的地址码不同 B. 左端口与右端口的地址码相同
C. 左端口与右端口的数据码相同 D. 左端口与右端口的数据码不同
18. 如果一个存储单元被访问，则可能这个存储单元会很快地再次被访问，这称为 A 。 A. 时间局部性 B. 空间局部性 C. 程序局部性 D. 数据局部性 （从时间上看，一个单元刚被访问又被再次访问，这是因为程序中存放着循环）
19. 在主存和CPU之间增加高速缓冲存储器的目的是 A 。
A. 解决CPU和主存之间的速度匹配问题
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