第 一 章 常 用 半 导 体 器 件 自 测 题

一 、判 断 下 列 说 法 是 否 正 确 ,用“ √ ”和“ ×”表 示 判 断 结 果 填 入 空 内 。 (1 在 N 型 半 导 体 中 如 果 掺 入 足 够 量 的 三 价 元 素 , 可 将 其 改 型 为 P 型 半 导 体 。 (

(2 因 为 N 型 半 导 体 的 多 子 是 自 由 电 子 , 所 以 它 带 负 电 。 ( (3 PN 结 在 无 光 照 、 无 外 加 电 压 时 , 结 电 流 为 零 。 (

(4 处 于 放 大 状 态 的 晶 体 管 , 集 电 极 电 流 是 多 子 漂 移 运 动 形 成 的 。 ( (5 结 型 场 效 应 管 外 加 的 栅 -源 电 压 应 使 栅 -源 间 的 耗 尽 层 承 受 反 向 电 压 , 才 能 保 证 其 R G S 大 的 特 点 。 (

(6 若 耗 尽 型 N 沟 道 MOS 管 的 U G S 大 于 零 , 则 其 输 入 电 阻 会 明 显 变 小 。 (

解 :(1 √ (2 × (3 √ (4 × (5 √ (6 × 二 、 选 择 正 确 答 案 填 入 空 内 。

(1 PN 结 加 正 向 电 压 时 , 空 间 电 荷 区 将 。 A. 变 窄 B. 基 本 不 变 C. 变 宽 (2 设 二 极 管 的 端 电 压 为 U , 则 二 极 管 的 电 流 方 程 是 。 A. I S e U B. T

U I e S C. 1e (S -T U I

(3 稳 压 管 的 稳 压 区 是 其 工 作 在 。

A. 正 向 导 通 B. 反 向 截 止 C. 反 向 击 穿

(4 当 晶 体 管 工 作 在 放 大 区 时 , 发 射 结 电 压 和 集 电 结 电 压 应 为 。 A. 前 者 反 偏 、 后 者 也 反 偏 B. 前 者 正 偏 、 后 者 反 偏 C. 前 者 正 偏 、 后 者 也 正 偏

(5 U G S =0V 时 , 能 够 工 作 在 恒 流 区 的 场 效 应 管 有 。 A. 结 型 管 B. 增 强 型 MOS 管 C. 耗 尽 型 MOS 管 解 :(1 A (2 C (3 C (4 B (5 A C

三 、 写 出 图 T1.3所 示 各 电 路 的 输 出 电 压 值 , 设 二 极 管 导 通 电 压 U D =0.7V 。

图 T1.3

解 :U O 1≈ 1.3V , U O 2=0, U O 3≈ -1.3V , U O 4≈ 2V , U O 5≈ 1.3V , U O 6≈ -2V 。

四 、 已 知 稳 压 管 的 稳 压 值 U Z =6V , 稳 定 电 流 的 最 小 值 I Z mi n =5mA 。 求 图 T1.4所 示 电 路 中 U O 1和 U O 2各 为 多 少 伏 。

图 T1.4

解 :U O 1=6V , U O 2=5V 。

五 、 某 晶 体 管 的 输 出 特 性 曲 线 如 图 T1.5所 示 , 其 集 电 极 最 大 耗 散 功 率 P C M =200mW , 试 画 出 它 的 过 损 耗 区 。

图 T1.5 解 图 T1. 5