西安交通大学材料科学基础考研复习题(包括答案) 下载本文

西安交通大学材料科学与工程学院材料科学基础复习题

2. 见附图2.2所示。

3. {100}=(100)十(010)+(001),共3个等价面。

{110}=(110)十(110)+(101)+(101)+(011)+(011),共6个等价面。 {111}=(111)+(111)+(111)+(111),共4个等价面。

{112}?(112)?(112)?(112)?(112)?(121)?(121) ?(121)?(121)?(211)?(211)?(211)?(211) 共12个等价面。

4. 单位晶胞的体积为VCu=0.14 nm3(或1.4×10-28m3)

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西安交通大学材料科学与工程学院材料科学基础复习题

5. (1)0.088 nm;(2)0.100 nm。

6. Cu原子的线密度为2.77×106个原子/mm。

Fe原子的线密度为3.50×106个原子/mm。

7. 1.6l×l013个原子/mm2;1.14X1013个原子/mm2;1.86×1013个原子/mm2。

8. (1) 5.29×1028个矽原子/m3; (2) 0.33。

9. 9. 0.4×10-18/个原子。

10. 1.06×1014倍。

11. (1) 这种看法不正确。在位错环运动移出晶体后,滑移面上、下两部分晶体相对

移动的距离是由其柏氏矢量决定的。位错环的柏氏矢量为b,故其相对滑移了一个b的距离。

(2) A'B'为右螺型位错,C'D'为左螺型位错;B'C'为正刃型位错,D'A'为负刃型位错。位错运动移出晶体后滑移方向及滑移量如附图2.3所示。

12. (1)应沿滑移面上、下两部分晶体施加一切应力η0,的方向应与de位错线平行。

(2)在上述切应力作用下,位错线de将向左(或右)移动,即沿着与位错线de垂直的方向(且在滑移面上)移动。在位错线沿滑移面旋转360°后,在晶体表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个b的台阶。

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a2[110]|b|?a22,其方向见附图2.4所示。 ,其大小为

13. (1)

b?(2) 位错线方向及指数如附图2.4所示。

a2212[111]aa22

14. (1) 能。几何条件:∑b前=∑b后=3;能量条件:∑b前=3>∑b后=3

(2) 不能。能量条件:∑b前2=∑b后2,两边能量相等。

(3) 不能。几何条件:∑b前=a/b[557],∑b后=a/b[11ˉ1],不能满足。

32a22 2

2(4) 不能。能量条件:∑b前=a < ∑b后=,即反应后能量升高。

a[111]315. (1) 能够进行。因为既满足几何条件:∑b前=∑b后=,又满足能量条件:

2212aa22

∑b前=3>∑b后=3

a[111]3(2) b合=;该位错为弗兰克不全位错。

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16. (1)假设晶体中位错线互相缠结、互相钉扎,则可能存在的位错源数目

n??l?1010~1011Ni

个/Cm3。

(2) η

=1.95×107 Pa。

17. 当θ=1°,D=14 nm;θ=10°,D=1.4 nm时,即位错之间仅有5~6个原子间

距,此时位错密度太大,说明当θ角较大时,该模型已不适用。

18. 畸变能是原来的0.75倍 (说明形成亚晶界后,位错能量降低)。

19. 设小角度晶界的结构由刃型位错排列而成,位错间距为D。晶界的能量γEl能量E构成,设l为位错线的长度,由附图2.5可知,

??Dl?ED

E?Gb2R由位错的能量计算可知,4?(1??)lnr?E中心0

取R=D (超过D的地方,应力场相互抵消),r0=b和θ=b/D代入上式可得:第 8 页 共 68 页

由位错的