第三讲器件仿真 - 图文 下载本文

Doping语句参数详解:

1. 解析分布类型参数介绍

这些参数语句定义了Atlas将如何从解析函数中生成一个掺杂分布. (1)Gaussian类型解析分布 Gaussian定义了高斯解析函数的使用来生成一个掺杂分布。 如果Gaussian被定义了,那么下面的参数必须被定义。

(i) 极性参数 N.type P.type

(ii)下列分布定义之一:

concentration和 junction 浓度和结深 concenration 和 charactreistic 浓度和特性

dose和characteristic 剂量和特性长度

(2)Uniform定义了使用常数作为解析函数来生成掺杂分布。掺 杂会通过边界参数被定义在一个box中。这个box的默认值是整个 区域。同样如果Uniform被定义了,那么N.type P.type以及浓度参数 都必须定义。

2.掺杂物类型参数介绍

Antimony 锑 Arsenic 砷 Boron硼 Indium 铟 Phosphorus磷

E.LEVEL 设置了分立陷阱能级的能量。 对于acceptors,是对应于导带边缘的。 对于donors,是对应于价带边缘的。

N.Type Donor 定义了一个n类型或donor类型的掺杂物。 此参数可

以与gaussian或uniform分布类型联合使用。

P.Type Acceptor 定义一个p类型或acctoper类型的掺杂物。此参数可 以与gaussian或uniform分布类型联合使用。 Trap 定义了掺杂浓度被处理为陷阱态密度。

OX.Charge 定义了一个固定的氧化物电荷分布。氧化物电荷只能在 任何绝缘物区域使用。

3. 垂直分布参数

Concentration 浓度

定义了峰值浓度当高斯分布被使用时。 如果此参数未被定 义,峰值浓度会从极性参数,边界条件,计量,或电阻率, 特征浓度中计算出来。当uniform分布被定义,concentration 参数被定义为均匀掺杂浓度的值,浓度必须是正的。

Dose 剂量 只适用于高斯分布,定义了高斯分布的总剂量。

Junction 结深

定义了高斯分布的硅区域内部p-n结的位置。当junction被

定义了,characteristic length会通过在常数矩形区域的终点

之间的一个迭代中点检测掺杂浓度而计算出来。

Junction的位置只是通过考虑所有前面掺杂语句信息来估

算的,这意味着某些情况下,doping语句的顺序是很重要的。