2．用一片EPROM的芯片构成系统内存，其地址范围为F0000H～F0FFFH，无地址重叠，该内存的存储容量为（ ）。
A.2KB
B.4KB
C.8KB
D.16KB
解：在现代计算机中，特别是微机系统中，内存储器一般都是以字节为单位编址，即一个存储地址对应一个8位存储单元。对于本题而言根据EPROM芯片的地址范围，可计算出它的存储容量，即F0FFFH-F0000H+1=1000H=4KB。所以选B。
3．某单元的逻辑地址为：4B09H:5678H，则该存储单元的物理地址为： 。 解:物理地址=段地址×10H+段内偏移地址 =4B09H×10H+5678H
=4B090H+5678H =50708H
4．有一静态RAM芯片的地址线为A12～A0，数据线为D7～D0，则该存储器芯片的存储容量为（ ）。
A．2K×4位
B．4KB
C．8KB
D．1K×4位
解:该静态RAM芯片共有13条地址线（寻址能力为213），8条数据线（字长为8位）， 因此它的存储容量为213×8=8K×8位。选择C。
5． 简述EPRAM芯片Intel 2732A的各引脚功能。
答：2732A的存储容量为4K×8位，有12条地址线A11～A0，8条数据线O7～O0， 2条控制线中为芯片允许线，用来选择芯片；为输出允许线，用来把输出的数据送上数据线；只有当这两条控制线同时有效时，才能从输出端得到读出的数据。
6．8088 CPU与存储器芯片2716和6116的连接如图所示，请分别写出2片芯片的存储容量和地址范围（先用二进制表示，然后把无关位设置0后写出16进制表示）。
答：HM6116芯片的存储容量为2K×8位，2716芯片的存储容量也为2K×8位，且它们的引脚兼容。以6116为例的8088的A15～A11和A19、A18不参加译码，这些位的数值应不予考虑，当A17为1，A16为0时才能选中6116，此时，A10～Ａ0的取值可以从00000000000到11111111111。
所以存储容量：
2716为2KB ；6116为2KB 。 地址范围：
2716 为××01×××××00000000000B 至××01×××××11111111111B，即10000H ～107FFH ；
6116 为××10×××××00000000000 B至××10×××××11111111111B，即 20000H ～207FFH。
2716A0~A10CEA17A16A0~A10CEA0~A106116
6.3 习题与参考答案
1. 计算机存储器是怎样分类的？其中半导体存储器又是怎样分类的？ 2. 存储器有哪些技术指标？
3. 存储系统的层次结构是如何构成的？试述各层次存储器的作用。 4. 试述六管静态存储电路的工作原理和特点。 5. 试述单管动态存储电路的工作原理和特点。
6. 在半导体存储器芯片中，地址双译码方式相对于地址单译码方式有什么优点？ 7. 一般的半导体存储器芯片的引脚应包括哪些信号？
8. 有的RAM芯片（如Intel2164A）外部只有八根地址线，却具有64K位的寻址能力，这是为什么？其中RAS与CAS信号起着什么作用？怎样起作用的？
9. 简述ERPOM的结构与工作原理。
10.在CPU与存储器的连接时要考虑哪些方面的问题？ 11.请比较全译码、部分译码和线选三种片选方式的优缺点。 12.写出下列容量的RAM芯片的地址线和数据线的条数。 （1）2K×8位（2）4K×8位（3）512K×4位（4）64K×1位 13.DRAM和SRAM的主要区别是什么？各有什么优缺点？
14.用下列芯片构成存储系统，各需多少RAM芯片？需要多少位地址作为片选地址译码？设系统为20位地址线，采用全译码方式。
（1）512×4位RAM构成16KB的存储系统；
（2）2K×4位RAM构成64KB的存储系统。
15. 有一全译码电路如图习3-1所示，试计算RAM芯片的地址范围。
A19 MEMR MEMW A18 A17 A16 A15 A14 A13 & & C G1 1 74LS138 RAM B A 16.图习3-2是一个未完成的译码器与RAM电路图。 （1）若RAM1、RAM2的地址为D000H～D3FFH，不增加其它部件（除非门外），请按要求完成图中所标识的引脚连线；
（2）请写出RAM3的地址范围。 A15 MEMRQ A14 G1 ≥1 C B A A9～0 10 A13 A12 A11 A9～0 RAM1 A9～0 RAM1 A9～0 RAM1 2114 I/O1～4 2114 I/O1～4 2114 I/O1～4 A10 D7～0 74LS138 17. 现有SRAM芯片若干，芯片的容量为512×4，欲组成一16KB的静态存储器系统,共需多少芯片？画出存储器系统的连接图。
参考答案:
1.答：存储器的分类如下：
1）按构成存储器的器件和存储介质分类
可分为磁芯存储器、半导体存储器、光电存储器、磁膜、磁泡和其他磁表面存储器以及
光盘存储器等。
2）按存取方式分类
可分为随机存取存储器RAM（Random Access Memory）、只读存储器ROM（Read Only Memory）、串行访问存储器等。
3）按在计算机中的作用分类
可分为主存储器（内部存储器）、辅助存储器（外部存储器）、缓冲存储器等。 对于半导体存储器的分类可由下图表示：
RAM MOS 半导体 存储器 掩膜ROM 静态 动态 双极型 PROM ROM EPROM E2PROM 2. 答：存储器的技术指标有存储容量、存储速度、存储器可靠性和性能/价格比。 1）存储容量 指存储器可以容纳的二进制信息量，以存储单元的总位数表示，通常也
用存储器的地址寄存器的编址数与存储字位数的乘积来表示。如某存储芯片的容量为2K×8位，即表示其地址寄存器为11位，编址能力为211=2×1024=2048=2K，一个存储字为8位，也经常记为2KB。
2）存储速度 有关存储器的存储速度主要有两个时间参数：
（1）TA：访问时间（Access Time），从启动一次存储器操作，到完成该操作所经历的时间。
（2）TMC：存储周期（Memory Cycle），启动两次独立的存储器操作之间所需的最小时间间隔。
（3）1/TMC：最大传输率，表示每秒钟从存储器输入或输出信息的最大速率。 （4）W/TMC：存储器数据传输带宽，表示每秒钟存储器能并行传输多少位信息，其中W为存储器的数据总线宽度，反映了存储器传送信息的吞吐能力。
3）可靠性 存储器的可靠性用MTBF来衡量，MTBF越长，可靠性越高。 MTBF——平均故障间隔时间（Mean Time Between Failures）。
4）性能/价格比 这是一个综合性指标，性能主要包括存储容量、存储速度和可靠性。对不同用途的存储器有不同的要求，例如，对高速缓冲存储器主要要求存储速度快，而对辅